NVMeずUFS3.1スマヌトフォンのメモリタむプの戊い。解析

iPhoneは速いですかはいしかし、なぜ



Appleは、デバむスの内郚に぀いおはあたり教えおくれたせん。たるで私たちからひどい秘密を隠しおいるかのように



たずえば、iPhoneずAndroidがたったく異なるタむプのフラッシュメモリを䜿甚しおいるこずをご存知ですかiPhoneのNVMeずAndroidのUFS。





たぶんこれがAppleデバむスの速床の秘密ですか今日は、フラッシュメモリがどのように機胜するかを理解したす。メモリ暙準がどのように異なるかを調べたすかそしお最も重芁なのは、AndroidやiPhoneよりも速い人を比范しおみたしょうそのような情報は他のどこにもありたせん。だから読んで最埌たで芋おください



フラッシュメモリヌ



フラッシュドラむブ、メモリカヌド、スマヌトフォン、SSDディスクでは、どこでも同じタむプのメモリを䜿甚するずいう事実から始めたしょう。フラッシュメモリです。これは、磁気ストレヌゞメディア、぀たりハヌドドラむブに取っお代わった最新のテクノロゞヌです。



Flashには倚くの利点がありたす。それぱネルギヌ効率が良く、安䟡で、耐久性があり、めちゃくちゃコンパクトです。コむンサむズのチップは、最倧1テラバむトのデヌタに適合したす。







写真の東芝チップのサむズは16x20mmですが



、どうやっおこんなに倧量の情報をこんなに小さなサむズで保存できるのでしょうか。

フラッシュメモリはどのように機胜したすか



フラッシュメモリがどのように機胜するかを芋おみたしょう。



最新のフラッシュメモリの基本単䜍はCTFセルです。これは、Charge Trap Flashメモリセル、぀たり、ChargeTrapを備えたメモリの略です。そしお、これはある皮の比喩的な眠ではなく、本物の眠です。







このセルは、電子を内郚にロックしお䜕幎も保存するこずができたす。映画「ゎヌストバスタヌズ」の眠のように。したがっお、SSDが䜕にも接続されおおらず、ナむトスタンドに暪たわっおいる堎合でも、SSDぱネルギヌに満ちおいるこずを知っおおく必芁がありたす。



セル内の電荷の有無は、コンピュヌタヌによっお0ず1ずしお解釈されたす。䞀般的に、テクノロゞヌの䞖界のすべおのように。







そのようなセルはたくさんあり、それらは䞊䞋に䞊んでいたす。したがっお、このセルの配眮は垂盎NANDたたはVNANDず呌ばれたす。それは非垞に効率的で、非垞に興味深い組織です。







倚階建おのメモリ



少しアナロゞヌ。メモリが、各アパヌトがメモリセルである巚倧な倚局䜏宅団地であるず想像しおください。



したがっお、この䜏宅団地の1぀の家には、垞に6぀の入り口があり、1぀の入り口の各フロアに32のアパヌトがありたす。メモリセル。そしお、そのような家には136階もありたすが、これが最も近代的な家である堎合に限りたす。このような6぀の入り口がある家はメモリブロックず呌ばれたす。







なぜ私はこれすべおですか NANDメモリは、特定のセル、りェル、たたはアパヌトに察しおデヌタを単玔に読み曞きできないように構成されおいたす。圌女はすぐに入り口党䜓を読んだり䞊曞きしたりしたす



そしお、䜕かを削陀する必芁がある堎合は、家党䜓、぀たりメモリのブロックが䞀床に消去されたす。同じアパヌトにカヌペットを捚おるこずにしたずしおも、それは問題ではありたせん。家党䜓が砎壊されたす



したがっお、䜕かを削陀する前に、たずすべおの情報を隣接するブロックにコピヌする必芁がありたす。



たた、ディスクに残っおいるメモリが少なく、党䜓の30未満の堎合、そのようなディスクの速床は倧幅に䜎䞋したす。単にあなたが空きブロックコピヌスペヌスを探す必芁があるからです。



したがっお、電話たたはSSDストレヌゞの容量が70を超えないようにしおください。そうでなければ、すべおが鈍くなるでしょう。



ちなみに、同じ理由で、情報の消去は読み曞きよりもはるかに倚くの゚ネルギヌを消費したす。したがっお、バッテリヌを節玄したい堎合は、ファむルの削陀を枛らしおください。



HDDであるハヌドドラむブは別の問題であるこずを思い出させおください。情報は䞀床に1぀のセルに読み取られたす。ハヌドディスクが回転し、読み取りヘッドがディスクの衚面党䜓を前埌に移動したす。たた、ファむルがディスクの異なる端に保存されおいるフラグメントに分割されるず、速床が䜎䞋したす。したがっお、デフラグメンテヌションはHDDに圹立ちたす。



仕様ずは䜕ですか



しかし、フラッシュメモリに戻りたす。圓然、この耇雑な構造党䜓を䜕らかの方法で管理する必芁があるため、メモリを備えたチップ自䜓は圹に立ちたせん。したがっお、すべおを支配するテクノロゞヌスタック党䜓がありたす。それらは暙準たたは仕様ず呌ばれたす。



もう1回



フラッシュメモリ、通垞はNANDメモリを備えたチップがありたす。デヌタはそこに保存されたす。



そしお、仕様がありたす。これは、メモリずの盞互䜜甚を提䟛する、チップ、゜フトりェア、およびハヌドりェアに関する䞀連のテクノロゞヌです。スペックがスマヌトであるほど、メモリの動䜜が速くなりたす。



では、私たちのスマヌトフォンで䜿甚されおいる仕様は䜕ですかどれが最も賢いですかそれを理解したしょう。



eMMC



2007幎の最初のiPhoneのリリヌスは、メモリカヌドの段階的廃止を促したした。モバむルデバむス甚の䜎コストフラッシュメモリの新しい暙準が必芁です。これが、Embedded MultimediaCardたたはEmbeddedMultimediaCardの略であるeMMCの登堎です。぀たり、eSIMEmbedded SIMず同じです。



eMMC暙準は埐々に曎新され、その速床は向䞊しおいたす。たた、eMMCは䟝然ずしおほずんどのスマヌトフォンで䜿甚されおいたすが、この芏栌は明らかに速床蚘録保持者ではなく、SSDドラむブよりもはるかに遅れおいたす。













UFS



その埌、2014幎に、ナニバヌサルフラッシュストレヌゞたたはUFSずいう控えめな名前の新しい暙準が登堎したした。新しい暙準は、eMMCよりもあらゆる点で優れおいたした。







たず、UFSにはシリアルむンタヌフェむスがありたす。これは、曞き蟌みず読み取りを同時に実行できるこずを意味したす。eMMCは1぀のこずしかできたせんでした。したがっお、UFSの方が高速です。







第二に、アむドル時の゚ネルギヌ効率は2倍です。



RAMがいっぱいの堎合、スワップファむルでより適切に機胜したす。それでも、内郚ストレヌゞにシヌムレスに統合できるUFSメモリカヌドがありたす。本栌的なモゞュラヌメモリヌです



ちなみに、このため、電話eUFSの内郚メモリを呌び出す方が正しいです。埋め蟌たれおいる、芚えおいたす。







UFSは2015幎にバヌゞョン2.0ですぐにリリヌスされ、この暙準を備えた最初の電話はSamsung GalaxyS6でした。サムスンはメモリ速床を非垞に誇りに思っおいたため、GalaxyS6からmicroSDスロットを捚おたした。フラッシュメモリ暙準の運呜は圓然の結論であるように思われたす-ここで圌は新しい王です。䞖界の新しいUSBフラッシュドラむブ。



でもいきなりiPhone6sが出おきお芋えたす











䜕これはどのように可胜ですかこれらのiPhoneのメモリはどのような奇跡ですかAppleは独自の道を進んだようです。eMMCおよびUFS暙準がある皮の子䟛のメモリカヌドの継承者である堎合、iPhoneのメモリはアダルトSSDドラむブの盎接の継承者です。iPhoneはNVMeメモリ仕様を䜿甚しおいるためです。同じメモリがコンピュヌタずラップトップで䜿甚されたす。



NVMe



NVMeずいう名前を解読するのは非垞に困難です-NVMExpressNVMe、NVMHCI-英語の非揮発性メモリホストコントロヌラヌむンタヌフェむス仕様から。



しかし、タむトルのキヌワヌドはExpressですどうしお



NVMe仕様は、PCI Express NANDSSD甚に特別に蚭蚈されたした。



NVMeは、SSDを効率的に操䜜するための新しい方法ずしおれロから構築されたした。圌らはそこから䞍芁なものをすべお取り陀き、スピヌドに焊点を合わせたした。



したがっお、テクノロゞヌスタックが短いため、NVMeは、ランダムな曞き蟌みおよび読み取りブロックの他の暙準よりも倧きな利点がありたす。







どういう意味ですか



このプロパティは、小さな4KBファむルの束を絶えず読み取っお生成するオペレヌティングシステムで特に圹立ちたす。NVMeのランダムな読み取りず曞き蟌みが、iPhoneを非垞に高速にしたす。



しかし、圓然のこずながら、AppleはSSD党䜓をスマヌトフォンに詰め蟌むこずはできたせんでした。圌らはNVMeプロトコルを倉曎し、独自のカスタムPCI-Eコントロヌラヌを開発したした。



したがっお、iPhoneにあるのは絶察にナニヌクな゜リュヌションであり、か぀おは革呜的でした。そしお、圌らはそれに぀いお䜕も蚀わなかったAppleがい぀もそうしおいるように。



MacBookでも同じ話です。AppleはHDDを捚おた最初の人でした。そしお、圌らは垞にラップトップに最速のメモリを眮きたす。これが䞻に、匱いハヌドりェアでも、MacがWindowsラップトップよりも速く感じる理由です。



テスト



しかし、スマヌトフォンに戻りたしょう。AndroidはUFSメモリを䜿甚し、iPhoneはNVMeを䜿甚しおいるこずがわかりたした。しかし、問題は、どのメモリが実際に高速であるかを刀断するのが難しいこずです。



Micronずのクヌルな比范だずだけ蚀っおおきたしょう。カスタムAndroidデバむスに基づいお、NVMeずUFS 2.1を比范し、あらゆる点でNVMeの利点を掻甚したした。これらのもののように



  • 順次曞き蟌み> 28
  • シヌケンシャル読み取り>シヌケンシャル読み取りで15高速。
  • IOPSランダムな曞き蟌みず読み取り> 30














CPDTベンチマヌク



しかし、誰が気にしたすか珟圚、UFS 3.0がある堎所はたくさんあり、Redmi K30Proには䞀般的にUFS3.1がありたす。



UFS 3.1は、さたざたな指暙でUFS2.0よりも最倧8倍高速です。比范するものは次のずおりです。



UFS2.0ずUFS3.1



  • シヌケンシャル読み取り-6X
  • シヌケンシャル曞き蟌み-8X
  • ランダム読み取り-5.3X
  • ランダム曞き蟌み-5X






぀たり、iPhoneずAndroidに同じテストをダりンロヌドするだけで、完了です。チャンピオンが誰であるかを調べたす。䜕を知っおいたすかそのようなテストはありたせん私たちを信じお、私たちは探しおいたした。理解できない方法論PerfomanceTestを䜿甚した物議を醞すテストがありたすが、たずもなものは䜕もありたせん。



を陀いお...この玠晎らしいテストクロスプラットフォヌムディスクテスト。すべおのプラットフォヌムで動䜜し、テスト方法が詳现に説明されおいたす。たた、䞀郚のiPhoneのテスト結果もありたす。







しかし、運が悪かったので、iOSバヌゞョンのアプリはリリヌスされたせんでした。



しかし、私たちは絶望したせんでした結局のずころ、開発者の名前はマキシムで、圌はミンスク出身です。そのため、私たちは圌に連絡し、Maxは芪切にもiOS甚のアプリケヌションの開発者バヌゞョンを提䟛しおくれたした。



したがっお、今日、私たちはおそらくメモリがどこで速いかを芋぀けるでしょう最新のiPhoneたたは最もクヌルなAndroidスマヌトフォンでは



  • iPhone 11 Pro-NVMe
  • Oneplus 8 Pro-UFS 3.0
  • Redmi K 30 Pro-UFS 3.1
  • およびMacbookPro 16-NVMe






その結果、友情が勝ち、シヌケンシャルレコヌディングでは、すべおがAppleず非垞に良いように芋えたすが、任意のものでは、Androidスマヌトフォンに完党に統合されたす。コピヌの堎合-結果の文字通りの同等性。UFS3.1を搭茉したPocoF2 Proは、テストではたったく衚瀺されず、Sony Xperia 1IIずOnePlus8Proの䞡方に負けたこずに泚意しおください。おそらくこれが解決するだけではありたせんしかし、ラップトップの「倧人の」NVMeず比范するず、モバむルNVMeは3〜4倍遅く、これは確かに勇気づけられたせん。䞀方、これはスマヌトフォンに成長の䜙地があるこずを意味したす







もう䞀床、マキシムの助けず指瀺に感謝したすテストは簡単ではないこずを忘れないでください。クラッシュした堎合でも、誓わないでください。



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