一部のデバイスNのボードでは、IRF4905トランジスタが焼損し、ひびが入ったため、内部構造を確認することができました。
ドキュメントによるIRF4905の特性：Pチャネル電界効果トランジスタ。20 Cでの直流-74A、最大260Aの脈動電流。オン状態抵抗-0.02オーム。低抵抗はHEXFETテクノロジーによって実現されます。その本質は、電界効果トランジスタが単一のトランジスタではなく、並列に接続された多数（数十万）の小さな電界効果トランジスタであるということです。
トランジスタの最大消費電力は200Wです。そのような素晴らしい指標の証拠として-燃え尽きたtextoliteとひびの入ったトランジスタ（最後まで持ちこたえた）。
クリスタル自体の面積は24mm2です。結晶厚0.3mm。共晶ではんだ付け。
溶接はアルミ線で行います。黄色がかった花がその上に見えます-これは炭素堆積物です。制御電極の直径は約50ミクロンで、3本の太いワイヤーがそれぞれ直径0.5mmです。太いワイヤーは、溶接ツールからの痕跡を示しています。
概略的には、InternationalRectifierによるHEXFETテクノロジーは次のようになります。
ドキュメントによると、IRF4905トランジスタは第5世代のHEXFETテクノロジーに実装されています。
写真を新しいウィンドウで開いて、より詳細に表示することができます。それぞれの写真で、ダイビングの規模をより深く理解することができます。
〜100倍ズーム
〜200倍の近似
〜400X近似
〜1000倍の近似
これは、FETマトリックスのトップトポロジがどのように見えるかです。
過硫酸アンモニウムで上部の金属化層をブリードオフしようとしました。汚れていたのですが、六角形の輪郭がはっきり見えました。六角形のおおよその寸法は5〜7ミクロンです（これは5000〜7000 nmです）。
清聴ありがとうございました。